纳米硅薄膜退火特性

被引：11

作者：

余明斌

何宇亮

刘洪涛

罗晋生

机构：

[1] 北京航空航天大学数理系

[2] 北京大学技术物理系

[3] 西安交通大学电子工程系

来源：

物理学报 | 1995年 / 04期

关键词：

纳米硅薄膜; 光学带隙; 氢含量; 红外分光光度计; 电导率; 电性; 透射率; 退火温度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

对使用等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）法在不同淀积条件下制备的非晶硅（a-Si:H）、微晶硅（μc-Si:H）和纳米硅（nc-Si:H）薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量CH值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度Ta与ac-Si:H薄膜光学带隙Egopt值变化之间的关系。

引用

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