KDP晶体生长基元与形成机理

被引：20

作者：

仲维卓

于锡铃

罗豪

程振翔

华素坤

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海

[2] 山东大学晶体材料研究所!济南

来源：

中国科学E辑:技术科学 | 1998年 / 04期

关键词：

生长基元; 负离子配位多面体; 生长界面边界层; 溶液过饱和度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O78 [晶体生长];

学科分类号：

摘要：

从结晶化学角度出发 ,研究了KDP晶体的生长基元和形成机理 .研究了固液界面边界层在不同面族上厚度的变化 ,并采用Raman光谱对生长过程中溶液结构的变化进行实时观察 ,发现边界层处溶液结构与晶体结构相似 ,提出晶体生长基元为 [H2 PO4]-,根据生长基元往各族晶面上键合的难易程度 ,决定了各族晶面生长速率的差异 ,生长基元往各族晶面上的键合主要取决了KO和HO键角的方位 ,从而进一步阐明了各族晶面生长速率差异的原因 ,以及生长溶液的 pH值对晶体结晶形态的影响 .

引用

页码：320 / 324

页数：5

共 4 条

[1] 氧化锌晶粒生长基元与生长形态的形成机理 [J].