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负离子配位多面体生长基元与晶体的结晶习性
被引:19
作者
:
仲维卓,华素坤
论文数:
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0
机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
仲维卓,华素坤
机构
:
[1]
中国科学院上海硅酸盐研究所
来源
:
硅酸盐学报
|
1995年
/ 04期
关键词
:
生长基元,负离子配位多面体,形成机理,结晶习性;
D O I
:
10.14062/j.issn.0454-5648.1995.04.019
中图分类号
:
O781 [晶体生长理论];
学科分类号
:
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要
:
研究了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系。根据对溶液(水热、溶剂)中结构的测定,发现有与晶体中负离子配位体相同的结构基元存在,提出晶体生长基元为负离子配位多面体的生长模型。生长基元往界面上叠合是生长基元与晶体界面上负离子配位多面体的结合反应。文中列举了BaTiO_3,LBO和KTP晶体的结晶习性与形成机理。
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页数:7
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