微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳电池的模拟计算与分析

被引：3

作者：

韩兵

周炳卿

郝丽媛

王立娟

那日苏

机构：

[1] 内蒙古师范大学物理与电子信息学院内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室

来源：

内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版) | 2010年 / 39卷 / 03期

关键词：

微晶硅/晶体硅; 异质结; 太阳电池; 模拟计算;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

运用AFORS-HET程序模拟分析μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)HIT结构异质结太阳电池的光伏特性,并研究发射层厚度、本征层厚度、本征层能隙宽度、界面态密度以及能带失配等参数对太阳能电池光伏特性的影响.计算结果表明:插入5 nm较薄微晶硅本征层,电池的转换效率最佳;随着微晶硅本征层厚度增加,电池性能降低,电池的界面缺陷态显著影响电池的开路电压和填充因子.对能带补偿情况进行模拟分析,结果显示,随着价带补偿(ΔEV)的增大,由界面态所带来的电池性能的降低逐渐被消除,当ΔEV=0.25eV时,界面态带来的影响几乎完全消除.通过优化各参数,获得微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳能电池的最佳转换效率为19.86%.

引用

页码：257 / 262

页数：6

共 5 条

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