LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响(英文)

被引：2

作者：

李志贤 ^{[1
]}

张方辉 ^{[2
]}

赵彦钊 ^{[1
]}

王秀峰 ^{[1
]}

机构：

[1] 陕西科技大学材料与科学工程学院

[2] 陕西科技大学电气与电子工程学院

来源：

液晶与显示 | 2008年 / 01期

关键词：

OLEDs; LiF厚度; 电子注入层;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN141.9 [液晶显示器件];

学科分类号：

080901 ;

摘要：

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50nm)/Alq3(65nm)/Mg∶Ag(10∶1)(100nm)/Ag(50nm)andITO/NPB(50nm)/Alq3(65nm)/LiF(x)/Al(100nm)。结果发现,在同样电压下,与Mg∶Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流。当LiF厚度为1nm时,器件性能最好。以Mg∶Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8450cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14700cd/m2。此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7V时达到了最大为3.117cd/mA。同时,当LiF厚度大于1nm或小于1nm时,器件性能都将会下降。

引用

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页数：6

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