镉胁迫对玉米幼苗抗氧化系统及光合作用的影响

采用水培方法,在玉米幼苗进入三叶期后向培养液中加入不同浓度氯化镉(0、10-6、10-5、10-4mol·L-1),胁迫不同时间(5、10、15d)后对幼苗进行各项指标检测。结果表明,低浓度(10-6mol·L-1)及中浓度(10-5mol·L-1)镉胁迫对幼苗生长均有较强刺激作用,而中浓度胁迫对地上部分作用更明显;低浓度镉胁迫对根部及叶片抗氧化酶(SOD、POD、CAT及ASA-POD)活性影响较小,只是根部POD、ASA-POD活性明显升高,而中浓度胁迫对除SOD外其他抗氧化酶活性均有显著促进作用;MDA含量均未有显著升高,可见根部及叶片未受到氧化损伤;两种浓度胁迫下,Fv′/Fm′虽下降,净光合速率有所升高。高浓度镉(10-4mol·L-1)胁迫下幼苗生长几乎停止;根部SOD及CAT活性升高,而POD和ASA-POD被明显抑制,叶片中CAT、POD及ASA-POD活性显著升高;根部受到显著氧化损伤;各项光合参数(Fv/Fm、Fv′/Fm′和净光合速率)均显著降低。