4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

被引：6

作者：

杨林安

张义门

龚仁喜

张玉明

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所

来源：

关键词：

4H-SiC; 射频; MESFET; 直流I-V特性; 自热效应;

D O I：

暂无

中图分类号：

O472.4 [];

学科分类号：

摘要：

采用载流子速度饱和理论 ,建立了包含“自热效应”影响的适用于 4H SiCMESFET的大信号输出I V特性解析模型 ,在模型中引入了温度变化的因素 ,提出了非恒定衬底环境温度T0 的热传导模型 ,模拟结果与实验值一致 ,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况

引用

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