4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

被引：11

作者：

杨林安

张义门

吕红亮

张玉明

于春利

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所!西安

来源：

半导体学报 | 2001年 / 09期

关键词：

4H-SiC; 射频功率MESFET; 非线性大信号模型; 直流I-V特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386.1 [金属-氧化物-半导体（MOS）器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .

引用

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