共 1 条
杂质不完全离化对SiCMOSFET的影响
被引：10
作者：
尚也淳
张义门
张玉明
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子所!西安
来源：
关键词：
SiC;
不完全电离;
MOSFET;
电特性;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
在分析 Si C中杂质部分离化时 ,考虑了 Frenkel- Pool效应 ,通过求解 Si C MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程 ,提出了一个新的 Si C MOSFET反型层薄层电荷 (charge- sheet)数值模型 .对 Si C中杂质不完全离化的研究表明 ,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强 ,对于 Si C MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区
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页码：888 / 891
页数：4
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