Kriging插值与拉丁超立方试验相结合构造电路元模型

被引：16

作者：

游海龙

贾新章

张小波

董萍

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

[2] 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安

[3] 陕西西安

来源：

关键词：

元模型; 试验设计; Kriging插值; 拉丁超立方抽样;

D O I：

10.16182/j.cnki.joss.2005.11.048

中图分类号：

TN402 [设计];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

电路系统的设计与优化常常需要参数与指标间简单、直接的模型,即电路的元模型。本文将Kriging插值和拉丁超立方抽样试验相结合构造了低功耗集成运算放大器的元模型。对于这种输出结果为确定值的电路仿真试验,与基于传统部分要因试验设计的多项式回归模型相比,Kriging模型具有更高的预测能力。

引用

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