应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

被引：9

作者：

徐波

余庆选

吴气虹

廖源

王冠中

方容川

机构：

[1] 中国科学技术大学结构分析中心

[2] 中国科学技术大学物理系合肥

[3] 合肥

来源：

物理学报 | 2004年 / 01期

基金：

安徽省自然科学基金;

关键词：

光致发光; 应力; Raman光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O482.31 [发光学];

学科分类号：

070205 ; 0805 ; 080502 ; 0809 ;

摘要：

对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响 ,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律 .

引用

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