结温对GaN基白光LED光学特性的影响

被引:18
作者
钟文姣
魏爱香
招瑜
机构
[1] 广东工业大学材料与能源学院
关键词
发光二极管; 结温; 电阻; 光谱; 色度学参数;
D O I
暂无
中图分类号
TN312.8 [];
学科分类号
0803 ;
摘要
制备了一个可测量n型GaN材料电阻的白光LED样品,测量了从室温到170℃下的LED芯片的n-GaN材料的电阻,发现n-GaN材料的电阻随温度的升高而增大,且两者呈一定的指数关系。利用这一特性,通过测量LED工作状态下内部所用GaN材料的电阻,可以实现对LED结温的测量。通过改变积分球底板温度使LED样品处于不同的结温下,测量了白光LED的光谱及色度学参数,结果表明:白光LED的峰值波长、显色指数、色温、光通量均与结温成一定的线性关系。
引用
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页码:1203 / 1207
页数:5
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[4]  
Junction temperature, spectral shift, and efficiency in GaInN-based blue and green light emitting diodes[J] . J. Senawiratne,A. Chatterjee,T. Detchprohm,W. Zhao,Y. Li,M. Zhu,Y. Xia,X. Li,J. Plawsky,C. Wetzel.Thin Solid Films . 2009 (6)
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