共 4 条
[4]
半导体器件物理[M]. - 电子工业出版社 , (美)施敏(Sze, 1987
PIN二极管的高功率微波响应
被引：14
作者：
余稳
聂建军
郭杰荣
周传明
张义门
机构：
[1] 西安电子科技大学微电子研究所
[2] 常德师范学院电子学研究所
[3] 中国工程物理研究院应用电子学研究所
[4] 西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安常德师范学院电子学研究所湖南常德
[5] 湖南常德
[6] 四川绵阳
[7] 陕西西
来源：
基金：
湖南省自然科学基金;
关键词：
二极管限幅器;
高功率微波;
截止频率;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN31 [半导体二极管];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
利用自行编制的半导体器件模拟程序 m PND1 D(采用时域有限差分方法 ,求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组 ) ,对 PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算 ,比较了不同条件下的计算结果 ,并对二极管微波响应截止频率作了探讨。计算结果表明 :随着激励源幅值的升高 ,器件截止频率增大 ;随着脉冲长度减小 ,器件截止频率降低 ;随着器件恒定温度值升高 ,截止频率下降
引用
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