基片温度对脉冲激光沉积ZnO薄膜性质的影响

被引：12

作者：

陈江博 ^{[1
]}

王丽 ^{[1
]}

苏雪琼 ^{[1
]}

刘红梅 ^{[1
]}

王荣平 ^{[2
]}

机构：

[1] 北京工业大学应用数理学院

[2] 澳大利亚国立大学激光物理中心

来源：

中国激光 | 2009年 / 36卷 / 06期

基金：

北京市自然科学基金;

关键词：

材料; znO薄膜; 脉冲激光沉积; 表面形貌; 光致发光; 透射光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.41 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法,利用光谱物理GCR-170型脉冲激光器Nd∶YAG的三次谐波,实验上完成了在Al2O3（0001）基片上生长了ZnO薄膜。利用原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）谱和光学透射谱对不同基片温度下沉积的ZnO薄膜的表面形貌和光学特性进行研究。结果表明,沉积时的基片温度对ZnO薄膜的结构和特性有显著影响。在基片温度为500℃时沉积的ZnO薄膜结构致密均匀,并表现出很强的紫外发射。通过紫外-可见透射光谱的测量,讨论了沉积时的基片温度对ZnO薄膜光学透射率的影响。

引用

页码：1539 / 1544

页数：6

共 13 条

[11]

Violet and UV luminescence emitted from ZnO thin films grown on sapphire by pulsed laser deposition.[J].B.J Jin;S Im;S.Y Lee.Thin Solid Films.2000, 1

[12] Scanning force microscopy and electron microscopy studies of pulsed laser deposited ZnO thin films: application to the bulk acoustic waves (BAW) devices [J].

Verardi, P ;

Nastase, N ;

Gherasim, C ;

Ghica, C ;

Dinescu, M ;

Dinu, R ;

Flueraru, C .

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 197 (03) :523-528

[13]

Transparent conducting ZnO:Al films deposited on organic substrates deposited by r.f. magnetron-sputtering.[J].T.L. Yang;D.H. Zhang;J. Ma;H.L. Ma;Y. Chen.Thin Solid Films.1998, 1

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