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A 4-ns 4k ×1-bit two-port BiCMOS SRAM .2 Yang T,Horowitz M,Wooley B. IEEE J Solid-State Circuits . 1988
一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计
被引：7
作者：
成立
陈照章
李彦旭
董素玲
唐平
高平
机构：
[1] 江苏大学电气与信息工程学院
[2] 徐州建筑职业技术学院机电工程系
[3] 江苏大学电气与信息工程学院 江苏 镇江
[4] 江苏 镇江
[5] 江苏 徐州
来源：
关键词：
BiCMOS;
SRAM;
VLSI;
读出放大器;
输入/输出电路;
地址译码器;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN432 [场效应型];
学科分类号：
摘要：
设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V以下,它既保留了CMOSSRAM低功耗、高集成度的特征,又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处,因而特别适用于高速缓冲静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。
引用
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