Si在Si(111)表面吸附过程的分子动力学模拟

被引：3

作者：

闫孟泽

赵艳春

孔令权

李之杰

机构：

[1] 内蒙古民族大学物理与电子信息学院

来源：

内蒙古民族大学学报(自然科学版) | 2010年 / 25卷 / 03期

关键词：

Si(111)表面; 分子动力学模拟; 吸附;

D O I：

10.14045/j.cnki.15-1220.2010.03.006

中图分类号：

TB321 [无机质材料];

学科分类号：

082905 [生物质能源与材料];

摘要：

利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si(111)表面的吸附过程.对100K时,初始入射动能分别为5,15,25,30eV的硅原子从6个不同位置轰击Si(111)表面进行了模拟,观察到了硅原子在Si(111)表面形成的吸附结构,并讨论了不同入射位置和入射能量对吸附结构的影响.结果表明,硅原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而硅原子入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟了沉积机制.

引用

页码：249 / 253

页数：5

共 6 条

[1]

Structure and photoluminescence properties of SiC films synthesized by the RF-magnetron sputtering technique.[J].Z.D. Sha;X.M. Wu;L.J. Zhuge.Vacuum.2005, 3

[2]

Structure character in small-carbon-cluster deposition on diamond surface [J].