SiC微波半导体在T/R组件中的应用前景

被引：8

作者：

张福琼

机构：

[1] 南京电子技术研究所

来源：

中国电子科学研究院学报 | 2008年 / 3卷 / 06期

关键词：

宽禁带半导体; 碳化硅微波器件; T/R组件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN303 [结构、器件];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

简述了SiC微波半导体的特性,通过与Si相关特性的比较,SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用前景,对T/R组件微波关键技术,功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论,及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代,关键电路的特性及其技术状态,以及对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件发展的重要性。

引用

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