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半导体器件中的噪声及其低噪声化技术[M]. 国防工业出版社 , 庄奕琪,孙青编著, 1993
n/p沟道MOSFET1/f噪声的统一模型
被引：8
作者：
包军林
庄奕琪
杜磊
李伟华
万长兴
张萍
机构：
[1] 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
[2] 西安电子科技大学微电子研究所
[3] 西安电子科技大学微电子研究所 西安
[4] 西安
来源：
关键词：
1/f噪声;
MOSFET;
氧化层陷阱;
涨落;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN384 [铁电及压电器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的 1/f噪声特性进行了实验和理论研究 .实验结果表明 ,虽然nMOSFET的 1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级 ,但是其噪声幅值均表现出和有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律 .基于该实验结果 ,认为MOSFET的 1 f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子 ,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道载流子迁移率的涨落 .在这两种涨落机理的基础上 ,引入了氧化层陷阱的分布特征及其与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式 ,建立了MOSFETl/f噪声的统一模型 .实验结果和本文模型符合良好 .
引用
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页码：2118 / 2122
页数：5
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