高功率半导体激光器结温与1/f噪声的关系研究

被引：4

作者：

陈海鹏 ^{[1
]}

曹军胜 ^{[2
]}

郭树旭 ^{[1
]}

机构：

[1] 吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室

[2] 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学与应用国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 10期

关键词：

1/f噪声; 结温度; 热阻; 高功率半导体激光器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248.4 [半导体激光器];

学科分类号：

摘要：

高功率半导体激光器的结温上升,不仅影响它的输出功率、斜坡效率、阈值电流和寿命,而且还会产生光谱展宽和波长偏移.因此,热管理成为抽运激光器研发中的一个主要问题.本文首先建立了噪声功率谱与结温变化的物理模型,根据压缩感知理论,将测量得到含有高斯白噪声和1/f噪声的混叠复合噪声信号稀疏化后,进行基追踪算法去噪,通过改变算法的迭代次数及测量矩阵大小,获得1/f噪声电压功率谱与结温变化关系曲线,避免了直接测量结温的复杂性.通过数值估计结果,可以较好地指导高功率半导体激光器的热管理工作.

引用

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