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Co在GaAs(001)表面的分子束外延及其结构研究
被引：7
作者：
吴义政
丁海峰
敬超
吴镝
刘国磊
董国胜
金晓峰
机构：
[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
来源：
基金：
国家杰出青年科学基金;
关键词：
衍射图样;
物理图象;
GaAs;
Co;
分子束外延;
外延生长;
晶体生长;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
报道了用高能电子衍射研究Ｃｏ在ＧａＡｓ（００１）表面上分子束外延生长的实验结果．发现当生长温度为１５０℃时，Ｃｏ膜的外延可以分为三个阶段：最初的３ｎｍＣｏ膜的晶体结构是体心立方亚稳相；接下来的４ｎｍ是复杂的多相结构；从７ｎｍ往后，Ｃｏ膜则是单晶的六角密堆积结构热力学稳定相．这一新的实验结果，澄清了前人有关这一体系外延层晶体结构的矛盾之处，并清晰地建立了Ｃｏ在ＧａＡｓ（００１）表面外延生长的物理图象．
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