磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+1.54μm光致发光

被引：16

作者：

袁放成

冉广照

陈源

张伯蕊

乔永平

傅济时

秦国刚

马振昌

宗婉华

机构：

[1] 北京大学物理系

[2] 信息产业部电子第十三研究所

来源：

物理学报 | 2001年 / 12期

关键词：

Er; 富Si氧化硅; 光致发光; 纳米硅;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.41 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3+ 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3+ 1.5 4μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系 .还发现 1.5 4μm发光峰强度与 1.38μm发光峰强度相互关联 ,对此进行了讨论

引用

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