高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

被引：18

作者：

施卫

赵卫

张显斌

李恩玲

机构：

[1] 西安理工大学应用物理系

[2] 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2002年 / 04期

关键词：

光电导开关; lockon效应; 高功率超快电脉冲;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN36 [半导体光电器件];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果 .其中 8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达 2 8kV ,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动 ,电流脉冲上升时间小于 2 0 0ps ,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达 5 6 0A ,电磁脉冲重复率 10 8Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lock on状态下的实验结果 ,测试了GaAs开关工作于lock on状态下的光能、电场阈值

引用

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