热丝CVD生长SiCN薄膜的研究

被引：10

作者：

牛晓滨

廖源

常超

余庆选

方容川

机构：

[1] 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

[2] 中国科学技术大学物理系

[3] 中国科学技术大学物理系合肥

[4] 合肥

来源：

无机材料学报 | 2004年 / 02期

基金：

安徽省自然科学基金;

关键词：

HFCVD; SiCN薄膜; α-Si3N4;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.

引用

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