SiC(N)纳米粉体的吸波性能研究

被引：12

作者：

焦桓

罗发

周万城

机构：

[1] 西北工业大学

[2] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

[3] 陕西西安

[4] 凝固技术国家重点实验室

来源：

西北工业大学学报 | 2002年 / 02期

关键词：

SiC(N)纳米粉体; 介电常数; 反射率; 吸波机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383 [特种结构材料];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 1406 ;

摘要：

采用CVD法合成了SiC(N)纳米粉体。在NH3 流量为 0～480ml/min范围内,合成了氮原子百分含量随NH3流量逐渐增大的一系列SiC(N)纳米粉体。研究了SiC(N)纳米粉体的介电常数和介电损耗角正切与粉体组成的关系。发现介电常数的实部、虚部和介电损耗角正切均随粉体中氮原子摩尔分数的升高而降低。依据粉体的介电常数设计了双层吸波涂层,涂层的吸波效果随粉体氮含量的升高而降低。N原子取代SiC晶格中C产生的带电缺陷在电磁场作用下的极化弛豫是SiC(N)纳米粉体吸波的主要机理。

引用

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