铌对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛压敏-电容性能的影响

被引：13

作者：

李长鹏

王矜奉

陈洪存

苏文斌

机构：

[1] 山东大学物理系!济南

来源：

无机材料学报 | 2001年 / 04期

关键词：

压敏材料; 二氧化钛; 电学性能; 频谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN384 [铁电及压电器件];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

研究了铌对（Ｙ，Ｎｂ）掺杂的二氧化钛压敏－电容性能的影响．研究中发现掺入０．１０ｍｏｌ％Ｎｂ２Ｏ５的样品显示出最低的视在电场（ＥＢ＝８．８Ｖ／ｍｍ）、最高的非线性常数（α＝７．０）以及最高的相对介电常数（εｒ＝７．６×１０４），与样品的晶界缺陷势垒特性、电容和电阻的频谱特性相一致．样品的性能变化可用Ｎｂ５＋对Ｔｉ４＋的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释．

引用

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