退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响

被引：12

作者：

唐军 ^{[1
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刘忠良 ^{[1
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康朝阳 ^{[1
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闫文盛 ^{[1
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徐彭寿 ^{[1
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潘海斌 ^{[1
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韦世强 ^{[1
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高玉强 ^{[3
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徐现刚 ^{[3
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机构：

[1] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室

[2] 淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院

[3] 山东大学晶体材料国家重点实验室

来源：

物理化学学报 | 2010年 / 01期

关键词：

Raman; 石墨烯; 6H-SiC; 退火时间; RHEED; AFM; NEXAFS;

D O I：

暂无

中图分类号：

O613.71 [碳C];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移.

引用

页码：253 / 258

页数：6

共 2 条

[1] 一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究 [J].