微纳米级键合强度分析(英文)

被引：2

作者：

阮勇 ^{[1
]}

尤政 ^{[1
]}

张大成 ^{[2
]}

机构：

[1] 清华大学精密仪器与机械学系

[2] 北京大学微电子所

来源：

纳米技术与精密工程 | 2012年 / 10卷 / 06期

基金：

高等学校博士学科点专项科研基金;

关键词：

MEMS; 阳极键合; 键合强度;

D O I：

10.13494/j.npe.2012.086

中图分类号：

TH703 [结构];

学科分类号：

080401 [精密仪器及机械];

摘要：

本文主要研究了微米/纳米尺度的键合技术和键合强度,给出并发展了基于MEMS技术的微米/纳米键合分析模型.为提取微米/纳米键合面积的最大剪应力和压应力,设计、制备和测试了一系列单晶硅悬臂梁结构.并使用理论公式和ANSYS有限元模拟对实验结果进行了分析.键合强度可以分为扭转和剪压表征两部分.根据测试值可得,最大抗扭强度为1.9×109μN.μm,最大压应力为68.3 MPa.

引用

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页数：5

共 4 条

[1]

Wafer-level bonding and direct electrical interconnection of stacked 3D MEMS by a hybrid low temperature process [J].