G.D.非晶硅薄膜的晶化特性

被引：11

作者：

何宇亮

沈宗雍

颜永红

机构：

[1] 南京大学物理系

[2] 上海冶金研究所

来源：

科学通报 | 1982年 / 17期

关键词：

晶硅薄膜; G.D; 非晶硅膜; 晶化;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

<正> 一、引言近两年来国外报道了非晶硅薄膜的晶化问题。由于非晶半导体的热力学相是不稳定的,具有无序网络结构的非晶态硅只要经过一定的工艺处理(如退火、激光辐照或掺杂)就会在无序网络结构中呈现出微晶以至多晶结构。可以说,实用的非晶硅薄膜是由含有一定成份细小品粒(50～100)的微晶和非晶相的混合结构所构成。近两年,我们研究了用CVD法和G.D.法制备的非晶硅薄膜的晶化问题。

引用

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