SiC材料及器件研制的进展

被引：87

作者：

李晋闽

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所!北京

来源：

物理 | 2000年 / 08期

关键词：

SiC材料; 外延生长; SiC器件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

作为第三代的半导体材料———SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点 ,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景 .文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况 .

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[2]

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半导体学报, 1997, (09) :718-720