SiC的高温抗氧化性分析

被引：24

作者：

常春

陈传忠

孙文成

机构：

[1] 山东大学材料科学与工程学院

来源：

山东大学学报(工学版) | 2002年 / 06期

关键词：

氧化; 显微结构; 碳化硅电热元件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ163.4 [];

学科分类号：

摘要：

研究了碳化硅表面高温氧化层的微观结构 ,分析了反应产物对高温抗氧化性能的影响 .碳化硅材料在 136 0℃以下 ,表面氧化较为轻微 ,抗氧化性能稳定 .温度高于 136 0℃后 ,SiC颗粒的尖角部位首先被氧化 .所形成的表面氧化层与碳化硅基体的分界清晰 ,无过渡区 ,并且始终不能形成致密氧化层 .表面二氧化硅层中除了存在石英和方石英以外 ,还存在非晶态的二氧化硅 .高温时熔融态的二氧化硅不易于从碳化硅基体上脱落

引用

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