宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

被引：68

作者：

张波

邓小川

张有润

李肇基

机构：

[1] 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

来源：

中国电子科学研究院学报 | 2009年 / 4卷 / 02期

关键词：

宽禁带半导体; 碳化硅; 功率器件;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望。

引用

页码：111 / 118

页数：8

共 6 条

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