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双IGBT缓冲吸收电路研究
被引:32
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
叶敏
[
1
]
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
曹秉刚
[
2
]
机构
:
[1]
长安大学道路施工技术与装备教育部重点实验室
[2]
西安交通大学机械工程学院
来源
:
微电机
|
2010年
/ 43卷
/ 07期
关键词
:
双IGBT;
缓冲吸收;
无感电容;
温升;
D O I
:
10.15934/j.cnki.micromotors.2010.07.004
中图分类号
:
U464.93 [];
学科分类号
:
摘要
:
为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命,提出双IGBT缓冲吸收电路。针对双RCD型缓冲吸收电路,详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因,给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法,讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果,通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数,指出了IGBT温升设计及其安装的注意事项。实验研究结果表明,双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT关断过电压,具有良好的缓冲吸收效果,可保证其安全性、可靠性和稳定性。
引用
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页码:40 / 43+49 +49
页数:5
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[J].
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[J].
周文定
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.
清华大学学报(自然科学版),
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电力电子技术.[M].王兆安;黄俊主编;.机械工业出版社.2000,
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