双IGBT缓冲吸收电路研究

被引:32
作者
叶敏 [1 ]
曹秉刚 [2 ]
机构
[1] 长安大学道路施工技术与装备教育部重点实验室
[2] 西安交通大学机械工程学院
关键词
双IGBT; 缓冲吸收; 无感电容; 温升;
D O I
10.15934/j.cnki.micromotors.2010.07.004
中图分类号
U464.93 [];
学科分类号
摘要
为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命,提出双IGBT缓冲吸收电路。针对双RCD型缓冲吸收电路,详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因,给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法,讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果,通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数,指出了IGBT温升设计及其安装的注意事项。实验研究结果表明,双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT关断过电压,具有良好的缓冲吸收效果,可保证其安全性、可靠性和稳定性。
引用
收藏
页码:40 / 43+49 +49
页数:5
相关论文
共 5 条
[1]
新一代3.3kV IGBT模块的开发 [J].
S Iura ;
A Narazaki ;
M Inoue ;
S Fujita .
电力电子技术, 2008, (09) :76-78
[2]
不断发展中的IGBT技术概述 [J].
周文定 ;
亢宝位 .
电力电子技术, 2007, (09) :115-118
[3]
一种新型IGBT缓冲电路的设计 [J].
周跃庆 ;
尹中明 .
电焊机, 2004, (10) :11-12+18
[4]
一种大功率IGBT实用驱动及保护电路 [J].
卫三民 ;
李发海 .
清华大学学报(自然科学版), 2001, (09) :55-58
[5]
电力电子技术.[M].王兆安;黄俊主编;.机械工业出版社.2000,