钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

被引：2

作者：

仇萍荪

罗维根

丁爱丽

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室

来源：

关键词：

铁电薄膜; Y-PZT薄膜; 印刻(imprinting);

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻．

引用

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