二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

被引：9

作者：

余稳

蔡新华

黄文华

刘国治

机构：

[1] 常德师范学院电子学研究所!湖南常德

[2] 不详

[3] 西北核技术研究所!西安市信箱

来源：

强激光与粒子束 | 2000年 / 02期

关键词：

电磁脉冲; 半导体器件; 失效和烧毁; 时域有限差分;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN31 [半导体二极管];

学科分类号：

摘要：

利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。

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页数：4

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共 2 条

[1] 一维PN结二极管模拟程序mPND1 D [J].

余稳 ;

蔡新华 ;

聂建军 ;

黄文华 ;

刘国治 .

常德师范学院学报(自然科学版), 2000, (01) :40-43

[2] 电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏 [J].

余稳，蔡新华 ;

黄文华，刘国治 .

强激光与粒子束, 1999, (03) :100-103