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三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰
被引：20
作者：
王娟
张长瑞
冯坚
机构：
[1] 国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室长沙,长沙,长沙
来源：
关键词：
纳米多孔SiO2薄膜;
溶胶-凝胶;
三甲基氯硅烷;
低介电常数(lowκ);
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383 [特种结构材料];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要：
以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性.TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450℃时可保持其疏水性和多孔结构.SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下.
引用
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页码：1399 / 1403
页数：5
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