沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

被引：7

作者：

岑忞 ^{[1
]}

章岳光 ^{[2
]}

陈卫兰 ^{[2
]}

顾培夫 ^{[2
]}

机构：

[1] 复旦大学电光源与照明工程学系

[2] 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室

来源：

物理学报 | 2009年 / 58卷 / 10期

关键词：

残余应力; HfO2薄膜; 沉积速率; 氧分压;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.2 [薄膜中的力学效应];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

采用ZYGOMarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体结构是否会对其应力造成影响.

引用

页码：7025 / 7029

页数：5

共 5 条

[1] 红外薄膜中热应力的研究 [J].