氧分压对电子束蒸发SiO2薄膜机械性质和光学性质的影响

被引：2

作者：

邵淑英

范正修

邵建达

沈卫星

江敏华

机构：

[1] 中科院上海光学精密机械研究所薄膜技术研究与发展中心,中科院上海光学精密机械研究所薄膜技术研究与发展中心,中科院上海光学精密机械研究所薄膜技术研究与发展中心,中科院上海光学精密机械研究所高功率激光物理国家实验室,中科院上海光学精密机械研究所高功率激光物理国家实验室上海,上海,上海,上海,上海

来源：

光子学报 | 2005年 / 05期

关键词：

SiO2薄膜; 氧分压; 残余应力; 表面形貌; 折射率; 电子束蒸发;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.4 [薄膜的性质];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

采用ZYGOMarkⅢ- GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2 薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜的表面粗糙度也随着氧分压的增大而逐渐增大另外,折射率对氧分压也非常敏感,随着氧分压的增大呈现出了减小的趋势这些现象主要是由于氧分压的改变使得SiO薄膜结构发生了变化引起的。

引用

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