反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

被引：25

作者：

周勋 ^{[1
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杨再荣 ^{[1
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罗子江 ^{[1
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贺业全 ^{[1
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何浩 ^{[1
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韦俊 ^{[2
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邓朝勇 ^{[1
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丁召 ^{[1
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机构：

[1] 贵州大学理学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室

[2] 贵州师范大学物理与电子科学学院

来源：

关键词：

分子束外延; 反射式高能电子衍射; 表面重构; 温度校准;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

摘要：

以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.

引用

页码：479 / 483

页数：5