冷等离子体处理对大葱种子发芽特性的影响

被引:24
作者
邵长勇 [1 ,2 ]
方宪法 [3 ]
唐欣 [4 ]
赵立静 [2 ]
张丽丽 [2 ]
王德成 [1 ]
机构
[1] 中国农业大学工学院
[2] 山东省种子有限公司
[3] 中国农业机械化科学研究院
[4] 山东省农业管理干部学院
基金
国家高技术研究发展计划(863计划);
关键词
冷等离子体; 大葱种子; 发芽特性; 发芽率; 发芽势;
D O I
暂无
中图分类号
S633.1 [大葱];
学科分类号
090202 ;
摘要
运用冷等离子体种子处理技术对大葱种子进行小于20 s非电离幅射处理,研究该技术对于大葱种子发芽势和发芽率的影响。试验结果表明,经不同功率冷等离子体处理后,种子的发芽势和发芽率有明显变化。冷等离子体处理后放置20 d进行发芽试验,当处理功率为240 W时种子的发芽势和发芽率提高最大,分别比对照提高10.6%和5.2%。冷等离子体处理后放置20 d和放置4 d进行发芽试验,大葱种子的发芽势和发芽率都比对照有明显改变,并且具有一致的规律性。
引用
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页数:5
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