微结构气敏传感器敏感薄膜制备方法的研究

被引：10

作者：

李建平

王悦

高晓光

王利

韩泾鸿

机构：

[1] 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室!北京

[2] 中国科学院电子学研究所传感技术

来源：

真空科学与技术 | 2000年 / 03期

关键词：

微结构气敏传感器; 二氧化锡薄膜; 气敏特性;

D O I：

10.13922/j.cnki.cjovst.2000.03.003

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

随着微结构气敏传感器的出现 ,金属氧化物半导体薄膜因具有灵敏度高、热质量小、批量制备一致性好等特点受到日益广泛的重视。本文比较了在微结构气敏传感器中三种方法制备的SnO2 敏感薄膜的结构和气敏响应特性。结果表明 ,用液涎生长和热氧化技术制备的SnO2 薄膜灵敏度高、稳定性好 ,但这种方法与lift off技术不兼容 ;室温直流溅射Sn然后热氧化方法制备的SnO2 薄膜虽然能采用lift off技术成形 ,但由于膜中晶粒结构和Sn/O比不合适使得它的气敏响应特性很差 ;室温混合气氛 (Ar/O2 比为 8∶2 )下射频溅射SnO2 靶然后退火制备的SnO2 薄膜 ,不仅对有机分子十分灵敏 ,而且与微电子工艺相容。室温射频溅射是制备微结构气敏传感器敏感薄膜较理想的方法

引用

页码：9 / 13

页数：5