低能离子注入诱变选育漆酶高产菌株

被引：8

作者：

赵世光 ^{[1
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王诗然 ^{[1
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薛正莲 ^{[1
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]}

汤明礼 ^{[3
]}

余增亮 ^{[3
]}

机构：

[1] 安徽工程科技学院生物化学与工程系

[2] 微生物发酵安徽省工程技术研究中心

[3] 中国科学院离子束生物工程学重点实验室

来源：

激光生物学报 | 2009年 / 18卷 / 04期

关键词：

灵芝菌; 低能离子束; 漆酶; 选育;

D O I：

暂无

中图分类号：

Q93 [微生物学];

学科分类号：

071005 [微生物学];

摘要：

利用低能N+束注入技术对漆酶产生菌灵芝菌(Ganoderma lucidum)U60菌丝体进行辐照诱变。通过研究15 keV能量下不同注入剂量与灵芝菌存活率及突变率的生物学效应关系,确定了在2.6×1015～3.9×1015ions/cm2注入剂量范围内可获得高比例正突变株。选择3.12×1015ions/cm2的注入剂量参数后,经多轮注入诱变,获得了遗传性稳定的漆酶高产突变株UIM-281;发酵产酶实验表明,UIM-281的产漆酶活力峰值分别是出发菌株U60的1.7倍及2.28倍,且产酶发酵周期相对缩短24 h,是工业发酵中更加经济高效的灵芝漆酶发酵菌株。

引用

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页码：534 / 538+457 +457

页数：6

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