Y2O3掺杂对Ta2O5-TiO2电容-压敏陶瓷的影响

被引：2

作者：

王天国

邵刚勤

李喜宝

张文俊

机构：

[1] 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

来源：

武汉理工大学学报 | 2009年 / 31卷 / 13期

关键词：

二氧化钛; 电容-压敏电阻; 压敏电压; 非线性系数;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

制备了Y2O3-Ta2O5-TiO2电容-压敏电阻器材料,对样品进行了XRD和SEM分析,测试了其压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:Y2O3对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响,在1 400℃烧结条件下,摩尔掺量为0.25%Y2O3的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为9.7 V/mm,非线性系数为4.5,相对介电常数为8.82×104,这与该样品具有最高的晶界势垒高度相一致。

引用

页码：4 / 7+15 +15

页数：5

共 9 条

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