SnO2掺杂对TiO2压敏电阻器性能的影响

被引：3

作者：

李志祥 ^{[1
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许高杰 ^{[1
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李勇 ^{[1
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王琴 ^{[2
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孙爱华 ^{[2
]}

段雷 ^{[1
]}

李亚丽 ^{[1
]}

蒋俊 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

[2] 中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室

来源：

稀有金属材料与工程 | 2007年 / S2期

关键词：

压敏电阻; 非线性系数; 压敏电压;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB302 [工程材料试验];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品,并通过XRD和SEM分析,以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究。结果表明:SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长,晶界相含量增加。电性能测试结果显示,SnO2的掺杂量在0～1.5 mol%内,击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增:非线性系数先增加后又减小,掺杂量为0.8 mol%的样品具有最大的非线性系数（a=8.3）。并对以上的实验结果从理论上给予了分析。

引用

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页码：177 / 180

页数：4

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