CeO2掺杂对Nb-TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

被引：5

作者：

李红耘

罗绍华

尧巍华

张中太

熊西周

庄严

机构：

[1] 广州新日电子有限公司

[2] 清华大学材料科学与工程系

[3] 广州新日电子有限公司广东广州

[4] 北京

[5] 广东广州

来源：

电子元件与材料 | 2003年 / 07期

关键词：

压敏电阻; 微观结构; 电性能;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2003.07.008

中图分类号：

TM54 [电阻器、电位器];

学科分类号：

080801 ;

摘要：

在x(CeO2)为0～1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使微观结构的均匀化,与Ti、Si固溶形成第二相,提高非线性,同时第二相的浓度对压敏电压的高低起着决定性作用。当x(CeO2)为0.4%时,可以得到晶粒大小均匀,瓷体结构致密,压敏电压约为15 V/mm及其它综合指标优良的低压压敏电阻。

引用

页码：23 / 25

页数：3

共 4 条

[1] (Nb、Ce、Si、Ca)掺杂对TiO2压敏电阻陶瓷电性能的影响 [J].

李红耘 ;

唐子龙 ;

尧巍华 ;

罗绍华 ;

米佳 ;

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[2] 铌对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛压敏-电容性能的影响 [J].

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[4]

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