二次热处理的SrTiO3压敏陶瓷电性能的研究

被引：1

作者：

牛丽霞

周方桥

陈志雄

庄严

机构：

[1] 广州大学物理与电子工程学院

[2] 广州新日电子有限公司广东广州

[3] 广东广州

来源：

电子元件与材料 | 2005年 / 05期

关键词：

电子技术; 钛酸锶压敏陶瓷; 表面氧化层; 晶界势垒;

D O I：

10.14106/j.cnki.1001-2028.2005.05.004

中图分类号：

TM28 [电工陶瓷材料];

学科分类号：

0805 ; 080502 ; 080801 ;

摘要：

采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究。结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26～107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的。

引用

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共 6 条

[1] 氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的非线性和界面势垒 [J].