a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

被引：12

作者：

王永谦

陈长勇

陈维德

杨富华

刁宏伟

许振嘉

张世斌

孔光临

廖显伯

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心

[2] 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室

[3] 中国科学院半导体研

来源：

物理学报 | 2001年 / 12期

关键词：

aSi∶O∶H; nc-Si; 微结构; 退火;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)法制备的氢化非晶硅氧 (a Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究 .结果表明a Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构 ,富Si相镶嵌于富O相之中 ,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅 (a Si) ,富O相为Si,O ,H三种原子随机键合形成的SiOx∶H(x≈ 1.35 ) .经 115 0℃高温退火 ,薄膜中的H全部释出 ;SiOx∶H (x≈ 1.35 )介质在析出部分Si原子的同时发生结构相变 ,形成稳定的SiO2 和SiOx(x≈ 0 .6 4) ;在析出的Si原子参与下 ,薄膜中a Si颗粒固相晶化的成核和生长过程得以进行 ,形成纳米晶硅 (nc Si) .研究发现此时的薄膜具有典型的壳层结构 ,在nc Si颗粒表面和外围SiO2 介质之间存在着纳米厚度的SiOx(x≈ 0 .6 4)中间相

引用

页码：2418 / 2422

页数：5