用X光光刻法制备亚波长抗反射结构

被引：2

作者：

李以贵 ^{[1
]}

杉山进 ^{[2
]}

机构：

[1] 上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室

[2] 日本立命馆大学微系统系

来源：

微细加工技术 | 2008年 / 01期

关键词：

X光光刻; 抗反射结构; 高深宽比; 纳米制造;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG665 [光能加工设备及其加工];

学科分类号：

080201 ;

摘要：

为了提高太阳电池的转换效果,降低反射光栅的偏振敏感性,开发了一种新的抗反射结构的微细加工技术。首先用X光光刻在PMMA光刻胶上得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长纳米结构,即抗反射结构。设计了适用于可见光波段的二维亚波长抗反射光栅,用X光光刻制作工艺在硅衬底上进行了实验制备。用此纳米加工技术获得了线宽为150 nm、高度约为450 nm(即深宽比为3.0)的PMMA减反射结构。同时还优化了曝光近接间隔、曝光剂量、显影时间等X光光刻参数。

引用

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