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氧化镍薄膜的制备及电化学性质
被引:15
作者
:
论文数:
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机构:
赵胜利
[
1
]
论文数:
引用数:
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机构:
文九巴
[
1
]
论文数:
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机构:
张玉兰
[
2
]
论文数:
引用数:
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机构:
李洛利
[
1
]
机构
:
[1]
河南科技大学材料学院
[2]
洛阳师范学院数学系
来源
:
化学通报
|
2006年
/ 01期
关键词
:
NiO薄膜;
真空蒸发;
热氧化;
脉冲激光沉积;
D O I
:
10.14159/j.cnki.0441-3776.2006.01.012
中图分类号
:
O614.813 [];
学科分类号
:
摘要
:
分别采用真空蒸镀_热氧化(VETO)及脉冲激光沉积(PLD)技术制备氧化镍(NiO)阳极薄膜材料,并利用XRD、SEM、循环伏安、充放电等方法对薄膜的结构和电化学性能进行了表征。结果表明,两种方法均制备了厚度均匀、表面光滑、与基片结合紧密、无缺陷、致密的纳米晶形NiO薄膜。采用PLD技术制备的薄膜颗粒更小、结构更有序,具有更高的电化学比容量,并且能承受大电流充放电。因此,这两种方法制备的NiO薄膜可根据充放电电流密度的要求有选择的应用于全固态薄膜锂离子电池中。
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薄膜制备新技术及其应用研究
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王学华
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王学华
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.
真空电子技术,
2003,
(05)
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2002,
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