光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率

被引：12

作者：

周印华 ^{[1
]}

汤英文 ^{[1
,2
]}

饶建平 ^{[1
]}

江风益 ^{[1
,2
]}

机构：

[1] 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心

[2] 晶能光电(江西)有限公司

来源：

光学学报 | 2009年 / 29卷 / 01期

关键词：

光学材料; 出光效率; 光增强湿法刻蚀; 垂直结构GaN基LED; Si衬底;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312.8 [];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极的n型GaN层刻蚀速率明显大于没有电极的n型GaN;而它们的均方根粗糙度(RMS)则结果相反。刻蚀后的形貌呈圆锥型凸起。20 mA下刻蚀后的裸芯光输出功率较刻蚀前提高了88.5%。

引用

页码：252 / 255

页数：4

共 6 条

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