基片曲率法在多孔硅薄膜残余应力检测中的应用

被引：3

作者：

邸玉贤 ^{[1
]}

计欣华 ^{[1
]}

胡明 ^{[2
]}

秦玉文 ^{[1
]}

陈金龙 ^{[1
]}

机构：

[1] 天津大学机械工程学院力学系

[2] 天津大学电信学院电子科学与技术系

来源：

物理学报 | 2006年 / 10期

关键词：

薄膜; 残余应力; 孔隙率; 多孔硅;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.2 [薄膜中的力学效应];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

通过基底曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有全场性、非接触性、高分辨率、无破坏、数据获取速度快等特点.使用该装置测量了电化学腐蚀法制作的多孔硅薄膜的残余应力,并研究了孔隙率和基底掺杂浓度对残余应力的影响,结果表明随着孔隙率的增加和硼离子掺杂浓度的提高,多孔硅表面的拉伸应力逐渐加大,由此表明多孔硅薄膜的微观结构与残余应力的大小有着密切的联系.

引用

页码：5451 / 5454

页数：4